德国重拳出击！新型非易失性DRAM横空出世，存储江湖再起风云

德国半导体企业Neumonda与FMC合作，计划在德累斯顿建立新型非易失性存储芯片（FeRAM）生产线，采用10nm以下制程的铪氧化物技术，将存储容量从传统FeRAM的MB级提升至GB级。该技术突破传统DRAM的易失性限制，兼具低功耗与持久存储特性，目标应用于AI、医疗、汽车等领域。这是欧洲自2009年后首次重启存储芯片本土化生产，旨在重建德国存储产业地位。