全球首款氮化硼深紫外光电芯片问世,陕西团队突破半导体领域技术瓶颈!
2025-03-27

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半导体
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西安交通大学李强团队成功研制全球首款氮化硼深紫外光电芯片,攻克了氮化硼材料掺杂与同质结制备难题,实现波长300纳米以下深紫外光发射。该芯片为深紫外固态光源在杀菌消毒、紫外固化、光通信等领域的应用提供新方向,核心技术已申请专利并发表于国际权威期刊《先进科学》。
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